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Technology Application

技術應用

激光LIA技術

Laser LIA technology


應用原理 / Principle


Light-Induced Annealing(LIA): α-Si:H/c-Si的界面存在大量的界面態(Si懸掛鍵),研究發現,在光照的情況下,對此結構進行加熱退火,可以有效減少界面態(Si懸掛鍵)密度,降低界面復合,從而提高非晶硅的鈍化效果。這個現象稱之為光誘導退火,簡稱LIA;HJT電池結構中,存在α-Si:H /c-Si的界面;在光照情況下,對HJT電池進行加熱退火,發現電池轉換效率明顯上升,主要體現在Voc和FF的提升上。








工藝簡介

Process Introduction

 激光LIA技術:通過超高功率激光照射HJT電池片,產生大量光生載流子改變α-Si:H中氫的價態,使得α-Si:H/c-Si界面復合降低,因此能提升HIT電池的Voc;并且能夠改善TCO層導電性能,降低Ag/TCO的接觸電阻,從而提高HJT電池的FF。