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Technology Application

技術應用

激光硼摻雜技術

Laser boron doping technology


應用原理 / Principle


激光硼摻雜技術是在現有PERC電池技術基礎上,通過沉積或印刷硼摻雜源,在激光背面開槽過程中,同步形成激光重摻雜區 P++層。其中激光摻雜形成的P++層,可以有效的降低背面接觸復合速率,同時降低背面硅鋁接觸電阻,提升太陽電池開路電壓Voc和填充因子FF,提升電池轉換效率。




工藝簡介

Process Introduction



激光硼摻雜技術是PERC電池技術未來升級的方向之一。采用CVD沉積或者印刷方式,在PERC藍膜片背面形成一層硼摻雜源,通過激光開槽過程中的熱效應,將硼元素同步摻雜進硅襯底中,形成P++層,即重摻雜區。一方面,重摻雜區形成P++P高低結,形成場鈍化效應,另一方面,可有效降低鋁硅接觸電阻,從這兩方面提升Voc 和FF,進而提高太陽電池轉換效率。